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CN201510615752.3

專利類型:

發(fā)明

IPC 分類號(hào):   

H01L31/105 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18

應(yīng)用領(lǐng)域:  

半導(dǎo)體器件

摘要:   

本發(fā)明公開了一種平面結(jié)構(gòu)的銻化物二類超晶格紅外探測(cè)器，其包括沿設(shè)定方向依次分布的下電極、InAs/GaSb 或 InAs/InAsSb 超晶格吸收層、InAs/GaSb 超晶格或 GaSb 或 GaAsSb 接觸層以及上電極， 并且于所述接觸層內(nèi)或所述接觸層與超晶格吸收層內(nèi)還局部分布有p 型區(qū)域。本發(fā)明還公開了一種制作所述紅外探測(cè)器的方法。本發(fā)明提供的銻化物超晶格紅外探測(cè)器使用了平面結(jié)構(gòu)，避免了常規(guī)臺(tái)面結(jié)構(gòu)中由于刻蝕產(chǎn)生的表面漏電流，有利于降低紅外探測(cè)器的暗電流和噪聲，并簡化了銻化物二類超晶格紅外探測(cè)器的制作工藝， 同時(shí)本發(fā)明因采用了特殊設(shè)計(jì)的 pin 型探測(cè)器的能帶結(jié)構(gòu)和材料組合，還使得光生載流子的收集不受勢(shì)壘阻擋，有效保證和提升了紅外探測(cè)器的工作性能。

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