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CN201410320016.0

專利類型:

發(fā)明

IPC 分類號:   

H01L33/10

應(yīng)用領(lǐng)域:  

LED 芯片

摘要:   

本申請公開了一種 LED 芯片及提高 LED 芯片出光效率的方法，該方法包括：s1、在透明襯底上依次制作第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；s2、通過透明襯底一側(cè)，通過激光聚焦的方法在透明襯底內(nèi)部、和/或第一半導(dǎo)體層上形成光反射結(jié)構(gòu)，該光反射結(jié)構(gòu)為多個空腔、不同相界面、非平面結(jié)構(gòu)或粗糙界面。本發(fā)明在已經(jīng)制作好的 LED 芯片上，通過激光手段在半導(dǎo)體層或襯底的內(nèi)部形成光反射結(jié)構(gòu)，減少了光路的距離，提高了 LED 的出光效率。同時針對 GaN 基 LED，在激光熔融或燒灼完成后，還可以在 GaN 層內(nèi)的某些局部形成 Ga 金屬顆粒，通過金屬顆粒的作用，可以進一步提高光反射效果。

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