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CN201310040049.5

專利類型:

發(fā)明

IPC 分類號:   

H01L21/336 B41J3/407 B41J2/01

應用領域:  

半導體場效應晶體管器件

摘要:   

本發(fā)明提供了一種金屬氧化物薄膜場效應晶體管的制備方法，包括在襯底上制作有源層的工序，所述的有源層是通過氣體噴印工藝將金屬氧化物噴印到接收層上形成的；其中，所述氣體噴印工藝的步驟包括：S1、對金屬氧化物進行加熱使之升華成氣霧；S2、將所述氣霧噴射到接收層上。本發(fā)明通過氣體噴印工藝實現(xiàn)了低成本、納米尺度高效金屬氧化物薄膜場效應晶體管的制作，具有操作簡單， 定位準確，應用范圍廣的優(yōu)點；無需將固體溶解配成溶液，既可以克服噴墨打印、電紡絲等納米制造技術中溶液配置帶來的困擾，同時又能克服傳統(tǒng) PVD、CVD 和真空蒸鍍過程中存在的難分離，無法準確定位的缺點。

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