專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?/span>:  

CN201210027790.3

專(zhuān)利類(lèi)型:

發(fā)明

IPC 分類(lèi)號(hào):   

C25D1/04C25D1/10 C30B29/02 C30B29/62 C30B30/02

B82Y30/00 B82Y40/00

應(yīng)用領(lǐng)域:  

亞波長(zhǎng)人工電磁材料

摘要:   

本發(fā)明提供一種基于絕緣硅(SOI)和電鑄技術(shù)的金屬納米線(xiàn)陣及其 制備方法，該金屬納米線(xiàn)陣的各金屬線(xiàn)之間由摻雜硅介質(zhì)材料填充， 其制備流程包括：選取SOI，并在其上下表面各沉積一層氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蝕，在 SOI 下底面氮化硅膜層上制作一個(gè)開(kāi)口，露出體硅表面；采用氫氧化鉀濕法腐蝕，以氮化硅為掩蔽層將露出的體硅表面腐蝕完畢，露出二氧化硅表面；在 SOI 的上表面涂覆光刻膠，通過(guò)光刻和刻蝕制作納米通孔；將具有納米通孔的 SOI 器件電鑄，獲得摻雜硅包裹的金屬線(xiàn)條；采用干法刻蝕將氮化硅去除，并用氫氟酸溶液去除二氧化硅，完成金屬納米線(xiàn)陣的制備。本發(fā)明不易損傷，且采用SOI 片進(jìn)行制作，避免了摻雜不均、摻雜層厚度難控制等缺點(diǎn)。

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