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CN201010278999.8

專利類型:

  發(fā)明

IPC 分類號(hào):   

H01L31/18

應(yīng)用領(lǐng)域:  

半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于太陽能電池

摘要:   

一種銅銦鎵硒薄膜電池的制備方法，包括如下步驟：在玻璃襯底的一側(cè)形成金屬背電極層；從玻璃襯底遠(yuǎn)離該金屬背電極層的一側(cè)發(fā)射穿透玻璃襯底的第一激光束，以形成穿透金屬背電極層的第一刻槽；在金屬背電極層上及第一刻槽表面形成銅銦鎵硒光吸收層；在銅銦鎵硒光吸收層上形成緩沖層；在緩沖層上形成阻擋層；發(fā)射第二激光束，以在阻擋層上蝕刻形成深入至金屬背電極層的第二刻槽； 在阻擋層和第二刻槽表面形成窗口層；發(fā)射第三激光束，以在窗口層上蝕刻形成深入至金屬背電極層的第三刻槽。上述方法制備的銅銦鎵硒薄膜電池具有不易短路的優(yōu)點(diǎn)。

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