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發(fā)表于:2019-12-04
作者:科翔信息
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專利申請?zhí)?/span>:
CN201410025120.7
專利類型:
發(fā)明
IPC 分類號:
C30B25/02 C30B29/06 C30B29/62
應用領域:
微納米材料
摘要:
本發(fā)明公開了一種制備超長一維單晶硅納米/微米結構的方法,包括如下步驟:1)將前驅體放入第一容器中,并將第一容器放入反應器的高溫區(qū);取催化劑放入第二容器中,并將第二容器放入反應器的低溫區(qū),使反應器為真空狀態(tài);2)加熱反應器,自然冷卻至室溫, 然后向所述反應器的腔內充入空氣,打開反應器,在所述第二容器中得到超長一維單晶硅納米/微米結構。本發(fā)明方法具有簡單,可控性好,可大量制備超長一維單晶硅納米/微米結構的特點。
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