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新材料項目推介——43、納米陣列結(jié)構(gòu)的離子交換膜、其制備方法及應(yīng)用

發(fā)表于:2019-12-05

作者:科翔信息

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文章導(dǎo)讀:為加快 G60 科創(chuàng)走廊高端創(chuàng)新要素整合集聚,促進(jìn) G60科創(chuàng)走廊九城市科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化和知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營交易,同時為籌備好“G60 科創(chuàng)走廊科技成果拍賣會”,G6...

專利申請?zhí)?/span>:  

CN201510109691.3

專利類型:

  發(fā)明

IPC 分類號:   

H01M4/88 H01M4/94 B82Y40/00

應(yīng)用領(lǐng)域:  

新能源材料,應(yīng)用于燃料電池、超級電容器、太陽能轉(zhuǎn)換裝置

摘要:   

本發(fā)明公開了一種納米陣列結(jié)構(gòu)的離子交換膜、其制備方法及應(yīng)用。該制備方法包括:提供具有納米孔道陣列的模板,納米孔道陣列由分布在模板上的復(fù)數(shù)納米級盲孔組成;將離子導(dǎo)體溶液等填充于模板內(nèi)并固化成型;以及,去除所述模板,獲得所述納米陣列結(jié)構(gòu)的離子交換膜。進(jìn)一步的,該離子交換膜可應(yīng)用于制備單電極核心組件。本發(fā)明通過采用單通模板法在離子交換膜上原位制備納米陣列, 尺寸可大范圍控制,其中納米線或納米管直徑>100nm,長度為 10nm 100μm,納米陣列的離子交換膜面積為 0.1cm2 1m2,進(jìn)一步的,通過并且采用磁性調(diào)控催化劑進(jìn)入納米縫隙,可大大增加三相界面(電子、質(zhì)子、物質(zhì)),并且可精確控制,且工藝簡單,可大規(guī)模生產(chǎn)。

 

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