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CN201410392278.8

專利類型:

  發(fā)明

IPC 分類號:   

C23C16/26 C30B25/18

應(yīng)用領(lǐng)域:  

半導(dǎo)體薄膜材料

摘要:   

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種外延生長碳化硅 石墨烯復(fù)合薄膜的制備方法，其包括如下步驟：將預(yù)處理后的基底置于化學(xué)氣相沉積腔體中，控制所述氣相沉積腔體絕對真空度高于 10 ⁴帕，1500～1600℃下在所述基底表面生長 2～10 微米的碳化硅外延層；控制所述化學(xué)氣相沉積腔體的溫度降低至 1000℃，在保護(hù)氣氛下對所述化學(xué)氣相沉積腔體從 1000℃加熱升溫至 1600℃，使所述碳化硅外延層結(jié)構(gòu)分解及重組，在所述基底上獲得石墨烯復(fù)合層。該方法能夠不完全依賴于價(jià)格昂貴的單晶 SiC 基底材料，而是采用高溫化學(xué)氣相沉積設(shè)備，實(shí)現(xiàn)碳化硅外延層 石墨烯的連續(xù)生長。

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