專利申請?zhí)?/span>:  

CN201310185351.X

專利類型:

  發(fā)明

IPC 分類號:   

C04B35/56

C04B35/622

應(yīng)用領(lǐng)域:  

耐高溫陶瓷制備

摘要:   

本發(fā)明公開了一種制備HfC-SiC 復(fù)相陶瓷的方法，其包括如下步驟： a)制備 HfC-Si3N4-C 混合粉體；b)制備 HfC-Si3N4-C 生坯；c)先在惰性氣氛或真空條件下于 800～1400℃保溫 1～2 小時，制得 HfC-SiC 坯體，再在惰性氣氛中于 1900～2300℃下繼續(xù)燒結(jié) 0.5～1 小時， 制得 HfC-SiC 復(fù)相陶瓷。本發(fā)明所制備的 HfC-SiC 復(fù)相陶瓷的致密度高達 100%、平均晶粒尺寸均小于 1μm；在惰性氣氛下可耐 2300℃ 高溫，且相組成穩(wěn)定；在 1500℃的四點彎曲強度可達到 350MPa 以上；另外，本發(fā)明方法還具有原料價廉易得、制備工藝簡單、可操控性強、容易實現(xiàn)規(guī)?；葍?yōu)點。

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