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CN201510770348.3

申請日:

2015.11.12

應(yīng)用領(lǐng)域:  

微電子、微光學(xué)、微納結(jié)構(gòu)和光電子器件制備等微納加工領(lǐng)域的光刻技術(shù)領(lǐng)域

項(xiàng)目簡介:  

本發(fā)明公開了一種基于紫外寬光譜自成像制備二維周期陣列的光刻方法及其裝置，其特點(diǎn)是，當(dāng)采用非單色紫外寬光譜照明周期掩模時(shí)，不同光譜和級次的自成像光場分布相互交錯(cuò)疊加，在掩模后一定距離范圍內(nèi)可形成連續(xù)可成像區(qū)域。本發(fā)明利用紫外寬光譜自成像的可成像焦深范圍大，給出了制備二維周期陣列的光刻的具體步驟及其裝置。采用紫外寬光譜自成像光刻術(shù)制作周期陣列結(jié)構(gòu)大大降低了對硅片形貌、定位精度的要求。 

技術(shù)優(yōu)勢:

發(fā)明采用常規(guī)紫外寬光譜光刻光源汞燈，成本較低；本發(fā)明由于可以在接近光刻方式 下工作，能夠?qū)崿F(xiàn)大面積微納光刻，具有較好的工藝適應(yīng)性；本發(fā)明采用寬光譜照明方式， 可以極大拓展可光刻區(qū)域，即超長焦深；本發(fā)明采用固定型曝光模式，簡化實(shí)驗(yàn)機(jī)構(gòu)，能同時(shí)記錄下自成像和相移自成像，實(shí)現(xiàn)相對于掩模的周期倍頻；本發(fā)明光強(qiáng)控制簡單，并且加工所得二維周期陣列結(jié)構(gòu)的周期能有效縮小為掩膜板上陣列周期的一半，分辨力能達(dá)到或接近衍射極限。本發(fā)明將為大面積、高精度、圖案復(fù)雜化的周期性微納結(jié)構(gòu)加工提供一條更為便捷、高效的新途徑。

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