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CN200710176009.8

專利類型:

  發(fā)明

IPC 分類號:   

H01L51/00 H01L51/54 H01L51/50 H01L51/30 H01L51/46

C07D213/53 C07D213/78 C07D405/14 C09K11/06

應用領域:  

半導體材料

摘要:   

本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件中的有機電子傳輸/空穴阻擋材料領域，特別涉及用于有機電子傳輸和/或空穴阻擋材料的一類多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用該類多芳基取代吡啶衍生物材料制備有機電致發(fā)光器件方面的用途。本發(fā)明通過分子設計，引入一些具有剛性結構的大取代基使其不易形成激基復合物，并抑制其結晶過程，改善其成膜性，提高其電荷傳輸性能；同時，分子共平面性的破壞將使其發(fā)射峰藍移，進而達到改善器件性能的目的。

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