專利申請(qǐng)?zhí)?/span>:  

CN201510082868.5

專利類型

  發(fā)明

IPC 分類號(hào):   

C30B29/42 C30B25/02 H01L21/02

應(yīng)用領(lǐng)域:  

半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于太陽(yáng)能電池等

摘要:   

本發(fā)明公開了一種在 Ge 襯底上生長(zhǎng) GaAs 外延薄膜的方法，包括步驟：S101、選取 Ge 襯底置于反應(yīng)腔室中；S102、在所述 Ge 襯底上生長(zhǎng)一 As 原子層；S103、在所述 As 原子層上生長(zhǎng)一 GaAs 緩沖層， 對(duì)所述 GaAs 緩沖層反復(fù)進(jìn)行退火工藝，直至由 RHEED 觀察到的圖像由點(diǎn)狀變?yōu)榫€狀；S104、在所述 GaAs 緩沖層上生長(zhǎng) GaAs 外延薄膜。該方法能夠促進(jìn) Ge 襯底和 GaAs 外延薄膜之間的反相疇自湮滅，提高了外延薄膜的晶體質(zhì)量和改善了外延薄膜的表面形貌。

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